Схема включения транзистора с общим затвором

схема включения транзистора с общим затвором
Выходное сопротивление полевого транзистора составляет десятки — сотни килоом, т. е. такого же порядка, как и у биполярных транзисторов. Применяется она не так часто, как схема ОЭ. Коэффициент усиления по току схемы ОБ всегда немного меньше еденицы: т. к. ток коллектора всегда лишь немного меньше тока эмиттера. Это делается, когда нагрузка обладает достаточно большой инерционностью, а напряжение и сила тока в ней регулируются не амплитудой, а шириной импульсов. На подобном принципе основаны бытовые диммеры для ламп накаливания и нагревательных приборов, а также импульсные источники питания.


При увеличении напряжения ширина канала уменьшается вследствие падения на нем напряжения и изменения результирующего электрического поля. Таким образом. МДП-транзисторы с встроенными каналами работают как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения. Такой подход значительно расширяет рамки применимости модуля или микросхемы за счет небольшого усложнения конечной схемы. Вначале по формуле расчитываем сопротивление резистора в цепи эмиттера R4 = 0,6 килоом. Схема каскада усиления с коллекторной стабилизацией и схемой включения транзистора с общей базой приведена на рисунке 4. Рисунок 4 Принципиальная схема включения транзистора с ОБ (коллекторная стабилизация режима) Отличительной особенностью схемы с общей базой является малое входное сопротивление. Образующиеся отрицательно заряженные ионы повышают пороговое напряжение, причём их заряд может храниться до нескольких лет при отсутствии питания, так как слой SiO2 предотвращает утечку заряда.

При этом сопротивление на постоянном токе промежутка исток-сток увеличивается, а ток ic практически не изменяется. Частотная характеристика схемы с общей базой ограничивается предельной частотой усиления транзистора fα (fh21б). [Подробнее] Схема с общим коллектором Схема с общим коллектором обычно применяется для получения высокого входного сопротивления. Поэтому сильнолегированные области под истоком и стоком, а также индуцированный и встроенный канал имеют электропроводность p-типа. При uис = Uзиотс канал полностью перекроется вблизи стока (рис. 1.25). При дальнейшем увеличении напряжения uис эта область канала, в которой он перекрыт, будет расширяться. Конденсатор С3 устраняет последовательную по входу и по выходу отрицательную обратную связь по переменному току.

Похожие записи: